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场硝 图3.缺陷结构演化对热导率调控的机理。最终,争霸Bi0.07Ge0.90Te-873样品获得了0.48Wm-1K-1的低晶格热导率。
云服烟起表1 GeTe和Ge0.97Te样品在室温的输运性能作者通过TEM进一步研究了Ge空位演化前后材料内部的显微组织结构。研究人员进一步研究了GeTe材料在实际应用中的潜力,场硝制备了单臂热电器件,场硝并对器件的转化效率进行了测试,获得了144mW的功率和1.82Wcm-2的功率密度,优化修正后的最高转换效率可达11%。争霸(c,d)器件测试的输出功率及效率。
基于该技术制备的热电器件具有系统体积小、云服烟起无运动部件、云服烟起无噪声、无损耗和无污染等优点,在深空探测、固态制冷和精确控温等领域有着重要的应用。通过DFT计算可知GeTe中的位错形成能为-38meV/atom,场硝理论上证实了可以通过Ge空位的调控形成大量的位错和位错网络。
基于Debye-Callaway模型对不同散射因素对晶格热导率的贡献进行计算,争霸证明了缺陷结构工程能有效降低体系的晶格热导率。
云服烟起(c)室温下Hall载流子浓度和迁移率的变化情况。据相关人员透露,场硝该系统已经应用在多个节目制作中,包括《极限挑战》。
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